New Analog Circuit Design —加州理工学院Ali Hajimiri

科学技术的劳动1411播放 0弹幕
AC 399734272022-11-28
迄今为止最好的模拟电路设计课程
模拟电路设计(2019)Ali Hajimiri教授,加州理工学院
Analog Circuit Design (New 2019) Professor Ali Hajimiri, Caltech
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选段10P

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  • 101N.基础半导体物理-能带、电子、空穴

  • 102N.基础半导体物理-掺杂、载流子密度、分布

  • 103N.半导体中的载流子的漂移、扩散

  • 104N.PN结,耗尽区,二极管方程

  • 105N.PN结,结电容,掺杂分布

  • 106N.双极结型晶体管,偏置,电流特性,掺杂曲线

  • 107N.三极管Early电压,大信号、小信号模型

  • 108N.MOS电容、阈值电压

  • 109N.MOS的Vth与体效应,线性区域的IV特性

  • 110N.MOSFET IV特性—通道长度调制

选段10
  • 101N.基础半导体物理-能带、电子、空穴

  • 102N.基础半导体物理-掺杂、载流子密度、分布

  • 103N.半导体中的载流子的漂移、扩散

  • 104N.PN结,耗尽区,二极管方程

  • 105N.PN结,结电容,掺杂分布

  • 106N.双极结型晶体管,偏置,电流特性,掺杂曲线

  • 107N.三极管Early电压,大信号、小信号模型

  • 108N.MOS电容、阈值电压

  • 109N.MOS的Vth与体效应,线性区域的IV特性

  • 110N.MOSFET IV特性—通道长度调制

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