半导体物理与器件原理-复旦大学

[1.2.1]--1.1.1晶体的基本特点

[1.3.1]--1.1.2原子的周期性阵列

[1.4.1]--1.1.3点阵的基本类型

[1.5.1]--1.1.4晶面指数系统

[1.6.1]--1.1.5常见晶体结构范例

[1.8.1]--1.2.1倒易点阵

[1.9.1]--1.2.2布里渊区

[1.10.1]--1.2.3倒易点阵的范例

[1.12.1]--1.3.1一维情况下的能级和轨道密度

[1.13.1]--1.3.2温度对费米－狄喇克分布的影响

[1.14.1]--1.3.3三维情况下的自由电子气

[1.16.1]--1.4.1布喇格定律

[1.17.1]--1.4.2近自由电子模型

[1.18.1]--1.4.3能隙的起因

[1.19.1]--1.4.4布洛赫函数

[1.20.1]--1.4.5克朗尼格－朋奈模型

[1.21.1]--1.4.6能带中轨道的数目

[1.23.1]--1.5.1能带隙

[1.24.1]--1.5.2重要半导体材料Si单晶的介绍

[2.2.1]--2.1.1半导体中E-k的关系

[2.3.1]--2.1.2半导体中电子的平均速度

[2.4.1]--2.1.3半导体中电子的加速度

[2.5.1]--2.1.4有效质量的意义

[2.7.1]--2.2.1空穴

[2.8.1]--2.2.2本征半导体的导电机构

[2.10.1]--2.3.1一般情况下的等能面方程

[2.12.1]--2.4.1硅的能带结构

[2.13.1]--2.4.2锗的能带结构

[2.14.1]--2.4.3能带结构与温度的关系

[3.2.1]--3.1.1替位式杂质和间隙式杂质

[3.3.1]--3.1.2施主杂质_施主能级_受主杂质_受主能级

[3.4.1]--3.1.3杂质浅能级电离能的简单计算

[3.5.1]--3.1.4杂质的补偿作用

[3.6.1]--3.1.5深能级杂质

[3.8.1]--3.2.1GaAs中的杂质

[3.10.1]--3.3.1点缺陷

[3.11.1]--3.3.2线缺陷-位错

[4.2.1]--4.1.1复习三维情况下的自由电子气

[4.3.1]--4.1.2状（能）态密度的定义

[4.4.1]--4.1.3状（能）态密度的汇总

[4.6.1]--4.2.1费米分布函数f(E)

[4.7.1]--4.2.2导带电子和价带空穴浓度

[4.9.1]--4.3.1本征载流子浓度ni

[4.10.1]--4.3.2本征半导体的费米能级位置

[4.12.1]--4.4.1非补偿情形（单一杂质）1

[4.12.2]--4.4.1非补偿情形（单一杂质）2

[4.14.1]--4.5.1简并的出现

[4.15.1]--4.5.2简并半导体的载流子浓度

[4.16.1]--4.5.3简并化条件

[4.17.1]--4.5.4简并时杂质的电离

[5.2.1]--5.1.1电导的微观理论

[5.3.1]--5.1.2半导体的电导率和迁移率

[5.5.1]--5.2.1散射几率_平均自由时间及其与迁移率的关系

[5.6.1]--5.2.2载流子的主要散射机制

[5.8.1]--5.3.1迁移率与杂质浓度和温度的关系

[5.9.1]--5.3.2电阻率与杂质浓度的关系

[5.11.1]--5.4.1欧姆定律的偏离和热载流子

[6.2.1]--6.1.1非平衡载流子的产生

[6.3.1]--6.1.2附加光电导现象

[6.4.1]--6.1.3非平衡载流子的复合

[6.5.1]--6.1.4非平衡载流子的产生

[6.7.1]--6.2.1准平衡

[6.8.1]--6.2.2准费米能级

[6.10.1]--6.3.1复合的分类

[6.11.1]--6.3.2直接复合

[6.12.1]--6.3.3间接复合

[6.13.1]--6.3.4表面复合

[6.15.1]--6.4.1陷阱现象

[6.16.1]--6.4.2成为陷阱的条件

[6.18.1]--6.5.1一维扩散方程

[6.19.1]--6.5.2一维扩散方程的稳态解

[6.20.1]--6.5.3扩散电流

[6.22.1]--6.6.1浓度梯度引起的自建电场

[6.23.1]--6.6.2爱因斯坦关系

[6.25.1]--6.7.1连续性方程

[6.26.1]--6.7.2连续性方程的特例情况

[7.2.1]--7.1.1p-n结的形成及杂质分布

[7.3.1]--7.1.2空间电荷区

[7.4.1]--7.1.3平衡p-n结能带图

[7.5.1]--7.1.4p-n结接触电势差

[7.6.1]--7.1.5p-n结的载流子分布

[7.8.1]--7.2.1p-n结中的电场和电势分布

[7.9.1]--7.2.2非平衡p-n结的能带图

[7.10.1]--7.2.3理想p-n结的J-V关系

[7.11.1]--7.2.4理想p-n结J-V关系的特性

[7.12.1]--7.2.5理想p-n结J-V关系的修正

[7.14.1]--7.3.1势垒电容

[7.15.1]--7.3.2扩散电容_(正向偏压)

[7.17.1]--7.4.1雪崩击穿

[7.18.1]--7.4.2齐纳击穿（隧道击穿）

[7.20.1]--7.5.1Esaki_二极管

[8.2.1]--8.1.1功函数和电子亲合能

[8.3.1]--8.1.2接触电势差

[8.4.1]--8.1.3表面态对接触势垒的影响

[8.5.1]--8.1.4势垒区的电势分布

[8.6.1]--8.1.5肖特基接触的势垒电容

[8.8.1]--8.2.1热电子发射理论

[8.9.1]--8.2.2镜像力影响

[8.10.1]--8.2.3隧道效应影响

[8.11.1]--8.2.4pn结和肖特基势垒二极管

[8.13.1]--8.3.1少子注入

[8.14.1]--8.3.2欧姆接触

[9.1.1]--9.1晶体管的发明

[9.2.1]--9.1.1晶体管的基本结构

[9.3.1]--9.1.2制造工艺

[9.4.1]--9.1.3杂质分布

[9.6.1]--9.2.1放大条件

[9.7.1]--9.2.2电流传输

[9.8.1]--9.2.3共基极电流放大系数

[9.9.1]--9.2.4共射极电流放大系数

[9.11.1]--9.3.1晶体管中的少子分布

[9.12.1]--9.3.2理想晶体管的电流-电压方程

[9.13.1]--9.3.3放大系数表达式

[9.14.1]--9.3.4理想晶体管的输入、输出特性

[9.15.1]--9.3.5晶体管的非理想现象

[9.16.1]--9.3.6实际晶体管的输入、输出特性

[9.18.1]--9.4.1晶体管的反向电流

[9.19.1]--9.4.2晶体管的反向击穿电压

[9.20.1]--9.4.3晶体管穿通电压

[9.22.1]--9.5.1Ebers-Moll方程

[9.23.1]--9.5.2实际晶体管模型

[9.25.1]--9.6.1晶体管的放大作用

[9.26.1]--9.6.2低频交流小信号等效电路

[9.27.1]--9.6.3放大系数的频率特性

[9.29.1]--9.7.1晶体管的开关作用

[9.30.1]--9.7.2晶体管开关时间

[10.2.1]--10.1.1表面的特殊性

[10.3.1]--10.1.2理想表面

[10.4.1]--10.1.3真实表面

[10.6.1]--10.2.1空间电荷层

[10.7.1]--10.2.2空间电荷层中的泊松方程

[10.8.1]--10.2.3半导体表面电场_电势和电容

[10.9.1]--10.2.4半导体表面层的五种基本状态

[10.11.1]--10.3.1Si-SiO2系统中的电荷状态

[10.13.1]--10.4.1MIS电容结构的能带图

[10.14.1]--10.4.2理想MIS电容的C－V特性1

[10.14.2]--10.4.2理想MIS电容的C－V特性2

[10.15.1]--10.4.3实际MIS电容的C－V特性

[10.17.1]--10.5.1表面电导

[11.2.1]--11.1.1MOSFET的结构

[11.3.1]--11.1.2MOSFET简介

[11.4.1]--11.1.3MOSFET的基本工作原理

[11.5.1]--11.1.4MOSFET的分类和符号

[11.6.1]--11.1.5MOSFET的输出特性和转移特性

[11.8.1]--11.2.1半导体的表面状态

[11.9.1]--11.2.2阈值电压的表达式

[11.10.1]--11.2.3影响VT的因素

[12.2.1]--12.1.1MOSFET非平衡时的能带图

[12.3.1]--12.1.2IDS~VDS的关系

[12.4.1]--12.1.3MOSFET的亚阈值特性

[12.5.1]--12.1.4MOSFET直流参数

[12.6.1]--12.1.5MOSFET的二级效应

[12.7.1]--12.1.6击穿特性

[12.9.1]--12.2.1交流小信号等效电路

[12.10.1]--12.2.2高频特性

[12.12.1]--12.3.1电阻型负载MOS倒相器

[12.13.1]--12.3.2增强型-增强型MOS倒相器（E-EMOS）

[12.14.1]--12.3.3增强型-耗尽型MOS倒相器（E-DMOS）

[12.15.1]--12.3.4互补MOS倒相器（CMOS）

[12.17.1]--12.4.1按比例缩小规律概述

[12.18.1]--12.4.2MOSFET的scaling规则